K4A8G165WG-BCWE vs MT40A512M16JY-083E 比較
詳細な並列比較: K4A8G165WG-BCWE メーカー: Samsung Electro-Mechanics および MT40A512M16JY-083E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung
K4A8G165WG-BCWE ✓ 生産中Micron Technology
MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron
MT40A512M16JY-083E ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | K4A8G165WG-BCWE | MT40A512M16JY-083E |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electro-Mechanics | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | DRAM |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $29.53 | $5.85 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (Automotive) |
| メモリサイズ | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| データレート | 3200 Mbps | 2400 MT/s (speed grade -083E) |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| 動作温度範囲 | 0°C to +85°C | — |
| Operating Current | 20 mA | — |
| パッケージ | FBGA-96 | 96-FBGA (8 x 14 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Row Cycle Time (tRC) | 19 ns | — |
| Technology | B-die | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| ライフサイクル状態 | Active | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| メモリ構成 | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV, +250 mV |
| I/O Interface | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die internal adjustable generation |
| Refresh Structure | — | 8192-cycle refresh |
| Refresh Window | — | 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C |
| ECCN | — | EAR99 |
| ハロゲンフリー | — | Compliant |
| Country of Origin | — | China |