K4AAG165WA-BCWE vs K4AAG165WM-BCTD Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4AAG165WA-BCWE von Samsung Electronics und K4AAG165WM-BCTD von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4AAG165WA-BCWE | K4AAG165WM-BCTD |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $62,40 | $62,00 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 16 Gb (2 GB) | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Datenrate | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| Package Dimensions | 13 x 9 mm | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Betriebstemperatur | -40C to +95C | 0C to +85C |
| Schnittstellentyp | Parallel, DDR4 | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder reflow) |
| Memory Format | DRAM (Volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture | — |
| RoHS-Status | Compliant | RoHS (per LCSC listing) |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Speicherorganisation | — | 1G x 16 |
| Speed | — | 2666 Mbps |
| Schnittstelle | — | SSTL-12 |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |