K4AAG165WA-BCWE vs K4AAG165WM-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG165WA-BCWE par Samsung Electronics et K4AAG165WM-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4AAG165WA-BCWE | K4AAG165WM-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $62,40 | $62,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gb (2 GB) | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| Package Dimensions | 13 x 9 mm | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +95C | 0C to +85C |
| Type d'interface | Parallel, DDR4 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder reflow) |
| Memory Format | DRAM (Volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture | — |
| Statut RoHS | Compliant | RoHS (per LCSC listing) |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 1G x 16 |
| Speed | — | 2666 Mbps |
| Interface | — | SSTL-12 |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |