K4AAG165WA-BCWE vs K4AAG165WM-BCTD Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4AAG165WA-BCWE от Samsung Electronics и K4AAG165WM-BCTD от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4AAG165WA-BCWE | K4AAG165WM-BCTD |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $62,40 | $62,00 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 16 Gb (2 GB) | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Корпус | 96-ball FBGA | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| Package Dimensions | 13 x 9 mm | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Рабочая температура | -40C to +95C | 0C to +85C |
| Тип интерфейса | Parallel, DDR4 | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder reflow) |
| Memory Format | DRAM (Volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture | — |
| Статус RoHS | Compliant | RoHS (per LCSC listing) |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Организация памяти | — | 1G x 16 |
| Speed | — | 2666 Mbps |
| Интерфейс | — | SSTL-12 |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |