K4AAG165WA-BCWE vs K4AAG165WM-BCTD Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4AAG165WA-BCWE por Samsung Electronics y K4AAG165WM-BCTD por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4AAG165WA-BCWE | K4AAG165WM-BCTD |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $62,40 | $62,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 16 Gb (2 GB) | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| Package Dimensions | 13 x 9 mm | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +95C | 0C to +85C |
| Tipo de interfaz | Parallel, DDR4 | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder reflow) |
| Memory Format | DRAM (Volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture | — |
| Estado RoHS | Compliant | RoHS (per LCSC listing) |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Organización de memoria | — | 1G x 16 |
| Speed | — | 2666 Mbps |
| Interfaz | — | SSTL-12 |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |