K4AAG165WM-BCTD vs K4AAG165WA-BCWE Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4AAG165WM-BCTD von Samsung Electronics und K4AAG165WA-BCWE von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4AAG165WM-BCTD | K4AAG165WA-BCWE |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $62,00 | $62,40 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Speicherorganisation | 1G x 16 | — |
| Speed | 2666 Mbps | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Betriebstemperatur | 0C to +85C | -40C to +95C |
| Gehäuse | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 96-ball FBGA |
| Schnittstelle | SSTL-12 | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Montageart | Surface Mount (BGA solder reflow) | Surface Mount |
| RoHS-Status | RoHS (per LCSC listing) | Compliant |
| Speichergröße | — | 16 Gb (2 GB) |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Datenrate | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Package Dimensions | — | 13 x 9 mm |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Schnittstellentyp | — | Parallel, DDR4 |
| Memory Format | — | DRAM (Volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |