K4AAG165WM-BCTD vs K4AAG165WA-BCWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4AAG165WM-BCTD от Samsung Electronics и K4AAG165WA-BCWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4AAG165WM-BCTD | K4AAG165WA-BCWE |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $62,00 | $62,40 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Организация памяти | 1G x 16 | — |
| Speed | 2666 Mbps | — |
| Напряжение питания | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Рабочая температура | 0C to +85C | -40C to +95C |
| Корпус | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 96-ball FBGA |
| Интерфейс | SSTL-12 | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Тип монтажа | Surface Mount (BGA solder reflow) | Surface Mount |
| Статус RoHS | RoHS (per LCSC listing) | Compliant |
| Размер памяти | — | 16 Gb (2 GB) |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Скорость передачи данных | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Package Dimensions | — | 13 x 9 mm |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Тип интерфейса | — | Parallel, DDR4 |
| Memory Format | — | DRAM (Volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |