K4AAG165WM-BCTD vs K4AAG165WA-BCWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG165WM-BCTD par Samsung Electronics et K4AAG165WA-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4AAG165WM-BCTD | K4AAG165WA-BCWE |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $62,00 | $62,40 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 1G x 16 | — |
| Speed | 2666 Mbps | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | -40C to +95C |
| Boîtier | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 96-ball FBGA |
| Interface | SSTL-12 | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Type de montage | Surface Mount (BGA solder reflow) | Surface Mount |
| Statut RoHS | RoHS (per LCSC listing) | Compliant |
| Taille de mémoire | — | 16 Gb (2 GB) |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Débit de données | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Package Dimensions | — | 13 x 9 mm |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Type d'interface | — | Parallel, DDR4 |
| Memory Format | — | DRAM (Volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |