K4AAG165WM-BCTD vs K4AAG165WA-BCWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4AAG165WM-BCTD por Samsung Electronics y K4AAG165WA-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4AAG165WM-BCTD | K4AAG165WA-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $62,00 | $62,40 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Organización de memoria | 1G x 16 | — |
| Speed | 2666 Mbps | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | -40C to +95C |
| Encapsulado | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 96-ball FBGA |
| Interfaz | SSTL-12 | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount (BGA solder reflow) | Surface Mount |
| Estado RoHS | RoHS (per LCSC listing) | Compliant |
| Tamaño de memoria | — | 16 Gb (2 GB) |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Velocidad de datos | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Package Dimensions | — | 13 x 9 mm |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Tipo de interfaz | — | Parallel, DDR4 |
| Memory Format | — | DRAM (Volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |