K4AAG165WM-BCTD vs K4AAG165WA-BCWE 比較
詳細な並列比較: K4AAG165WM-BCTD メーカー: Samsung Electronics および K4AAG165WA-BCWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4AAG165WM-BCTD | K4AAG165WA-BCWE |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $62.00 | $62.40 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| メモリ構成 | 1G x 16 | — |
| Speed | 2666 Mbps | — |
| 電源電圧 | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| 動作温度 | 0C to +85C | -40C to +95C |
| パッケージ | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 96-ball FBGA |
| インターフェース | SSTL-12 | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| 実装タイプ | Surface Mount (BGA solder reflow) | Surface Mount |
| RoHS ステータス | RoHS (per LCSC listing) | Compliant |
| メモリサイズ | — | 16 Gb (2 GB) |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| データレート | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Package Dimensions | — | 13 x 9 mm |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| インターフェースタイプ | — | Parallel, DDR4 |
| Memory Format | — | DRAM (Volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |