K4B4G1646D-BCK00 vs MT41K256M16HA-125:E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BCK00 von Samsung Electronics und MT41K256M16HA-125:E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ AktivMicron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BCK00 | MT41K256M16HA-125:E |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,90 | $3,10 |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| Datenrate | 1600 Mbps/pin | — |
| Versorgungsspannung | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Betriebstemperatur | 0°C to 95°C (Tcase) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS-Latenz | 11 (at 1600 Mbps) | 13.75 ns |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Anzahl der Pins | — | 96 |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Betriebstemperaturbereich | — | 0°C to +95°C (TC) |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Datenbusbreite | — | 16 bits |
| Logic Family | — | CMOS |