K4B4G1646D-BCK00 vs MT41K256M16HA-125:E Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646D-BCK00 por Samsung Electronics e MT41K256M16HA-125:E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ AtivoMicron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646D-BCK00 | MT41K256M16HA-125:E |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $5,90 | $3,10 |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| Taxa de dados | 1600 Mbps/pin | — |
| Tensão de alimentação | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Temperatura de operação | 0°C to 95°C (Tcase) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Latência CAS | 11 (at 1600 Mbps) | 13.75 ns |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Número de pinos | — | 96 |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Largura do barramento de dados | — | 16 bits |
| Logic Family | — | CMOS |