K4B4G1646D-BCK00 vs MT41K256M16HA-125:E Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646D-BCK00 por Samsung Electronics y MT41K256M16HA-125:E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ ActivoMicron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646D-BCK00 | MT41K256M16HA-125:E |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,90 | $3,10 |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps/pin | — |
| Tensión de alimentación | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to 95°C (Tcase) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Latencia CAS | 11 (at 1600 Mbps) | 13.75 ns |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Número de pines | — | 96 |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Ancho del bus de datos | — | 16 bits |
| Logic Family | — | CMOS |