K4B4G1646D-BCK00 vs MT41K256M16HA-125:E Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646D-BCK00 от Samsung Electronics и MT41K256M16HA-125:E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ АктивенMicron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646D-BCK00 | MT41K256M16HA-125:E |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $5,90 | $3,10 |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| Скорость передачи данных | 1600 Mbps/pin | — |
| Напряжение питания | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| Корпус | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Рабочая температура | 0°C to 95°C (Tcase) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Задержка CAS | 11 (at 1600 Mbps) | 13.75 ns |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Без галогенов | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Количество выводов | — | 96 |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Разрядность шины данных | — | 16 bits |
| Logic Family | — | CMOS |