K4B4G1646D-BCK00 vs MT41K256M16HA-125:E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BCK00 par Samsung Electronics et MT41K256M16HA-125:E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ ActifMicron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BCK00 | MT41K256M16HA-125:E |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,90 | $3,10 |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| Débit de données | 1600 Mbps/pin | — |
| Tension d'alimentation | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Température de fonctionnement | 0°C to 95°C (Tcase) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Latence CAS | 11 (at 1600 Mbps) | 13.75 ns |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Largeur du bus de données | — | 16 bits |
| Logic Family | — | CMOS |