K4B4G1646D-BFMA vs MT41K256M16HA-107:E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BFMA von Samsung Electronics und MT41K256M16HA-107:E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BFMA | MT41K256M16HA-107:E |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,50 | $5,00 |
| Speichertyp | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Datenrate | 1866 Mbps | 1866 MT/s |
| Versorgungsspannung | 1.5V | 1.35V |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| CAS-Latenz | Programmable | 13 (typical) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Temperature Range | 0°C to 95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Speichergröße | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | — | 0°C to 95°C (Tc) |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Anzahl der Pins | — | 96 |