K4B4G1646D-BFMA vs MT41K256M16HA-107:E Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646D-BFMA por Samsung Electronics y MT41K256M16HA-107:E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646D-BFMA | MT41K256M16HA-107:E |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $5,00 |
| Tipo de memoria | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps | 1866 MT/s |
| Tensión de alimentación | 1.5V | 1.35V |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| Latencia CAS | Programmable | 13 (typical) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Temperature Range | 0°C to 95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Tamaño de memoria | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0°C to 95°C (Tc) |
| Interfaz | — | Parallel |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Número de pines | — | 96 |