K4B4G1646D-BFMA vs MT41K256M16HA-107:E 对比

详细并排对比 K4B4G1646D-BFMA 出自 Samsung Electronics 和 MT41K256M16HA-107:E 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BFMA K4B4G1646D-BFMA - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BFMA - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BFMA ✓ 量产中
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107:E ✓ 量产中

规格对比

参数 K4B4G1646D-BFMA MT41K256M16HA-107:E
品牌 Samsung Electronics Micron Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $6.50 $5.00
存储器类型 DDR3 SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
存储组织 256M x 16 256M x 16
数据速率 1866 Mbps 1866 MT/s
电源电压 1.5V 1.35V
封装 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Ball Pitch 0.8mm —
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) —
CAS 延迟 Programmable 13 (typical)
On-Die Termination Yes —
Temperature Range 0°C to 95°C (case) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
无卤 Yes —
存储容量 — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 933 MHz
Access Time — 20 ns
安装类型 — Surface Mount
工作温度 — 0°C to 95°C (Tc)
接口 — Parallel
RoHS 状态 — Compliant
引脚数 — 96

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