K4B4G1646D-BFMA vs MT41K256M16HA-107:E Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646D-BFMA por Samsung Electronics e MT41K256M16HA-107:E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646D-BFMA | MT41K256M16HA-107:E |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,50 | $5,00 |
| Tipo de memória | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Taxa de dados | 1866 Mbps | 1866 MT/s |
| Tensão de alimentação | 1.5V | 1.35V |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| Latência CAS | Programmable | 13 (typical) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Temperature Range | 0°C to 95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Tamanho da memória | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Temperatura de operação | — | 0°C to 95°C (Tc) |
| Interface | — | Parallel |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Número de pinos | — | 96 |