K4B4G1646D-BFMA vs MT41K256M16HA-107:E 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646D-BFMA 제조: Samsung Electronics 및 MT41K256M16HA-107:E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646D-BFMA | MT41K256M16HA-107:E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.50 | $5.00 |
| 메모리 유형 | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 데이터 속도 | 1866 Mbps | 1866 MT/s |
| 공급 전압 | 1.5V | 1.35V |
| 패키지 | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| CAS 레이턴시 | Programmable | 13 (typical) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Temperature Range | 0°C to 95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| 메모리 크기 | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| 동작 온도 | — | 0°C to 95°C (Tc) |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| 핀 수 | — | 96 |