K4B4G1646D-BYH9 vs W634GU6RB-11TR Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BYH9 von Samsung Electronics und W634GU6RB-11TR von Winbond. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BYH9 | W634GU6RB-11TR |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Winbond |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,30 | $32,00 |
| Density | 4 Gb | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Datenrate | 1333 Mbps | 1866 MT/s |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.35V (1.5V compatible) |
| Betriebstemperatur | 0 ~ 85 °C | -40°C to +95°C |
| Gehäuse | 96FBGA | 96-VFBGA (7.5x13 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS-Latenz | Programmable | 13 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Halogenfrei | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Speichertyp | — | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Montageart | — | Surface Mount |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Halogenfrei | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |