K4B4G1646D-BYH9 vs W634GU6RB-11TR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BYH9 par Samsung Electronics et W634GU6RB-11TR par Winbond. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BYH9 | W634GU6RB-11TR |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Winbond |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,30 | $32,00 |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Débit de données | 1333 Mbps | 1866 MT/s |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.35V (1.5V compatible) |
| Température de fonctionnement | 0 ~ 85 °C | -40°C to +95°C |
| Boîtier | 96FBGA | 96-VFBGA (7.5x13 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Latence CAS | Programmable | 13 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Type de mémoire | — | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Interface | — | Parallel |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Sans halogène | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |