K4B4G1646D-BYH9 vs W634GU6RB-11TR Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646D-BYH9 por Samsung Electronics e W634GU6RB-11TR por Winbond. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646D-BYH9 | W634GU6RB-11TR |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Winbond |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,30 | $32,00 |
| Density | 4 Gb | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Taxa de dados | 1333 Mbps | 1866 MT/s |
| Tensão de alimentação | 1.35 V | 1.35V (1.5V compatible) |
| Temperatura de operação | 0 ~ 85 °C | -40°C to +95°C |
| Encapsulamento | 96FBGA | 96-VFBGA (7.5x13 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Latência CAS | Programmable | 13 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Tipo de memória | — | DDR3L SDRAM |
| Tamanho da memória | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Interface | — | Parallel |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Livre de halogênio | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |