K4B4G1646D-BYH9 vs W634GU6RB-11TR 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646D-BYH9 メーカー: Samsung Electronics および W634GU6RB-11TR メーカー: Winbond。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646D-BYH9 | W634GU6RB-11TR |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Winbond |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.30 | $32.00 |
| Density | 4 Gb | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| データレート | 1333 Mbps | 1866 MT/s |
| 電源電圧 | 1.35 V | 1.35V (1.5V compatible) |
| 動作温度 | 0 ~ 85 °C | -40°C to +95°C |
| パッケージ | 96FBGA | 96-VFBGA (7.5x13 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| CASレイテンシ | Programmable | 13 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| メモリタイプ | — | DDR3L SDRAM |
| メモリサイズ | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| インターフェース | — | Parallel |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |