K4B4G1646D-BYH9 vs W634GU6RB-11TR Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646D-BYH9 от Samsung Electronics и W634GU6RB-11TR от Winbond. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646D-BYH9 | W634GU6RB-11TR |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Winbond |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,30 | $32,00 |
| Density | 4 Gb | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Скорость передачи данных | 1333 Mbps | 1866 MT/s |
| Напряжение питания | 1.35 V | 1.35V (1.5V compatible) |
| Рабочая температура | 0 ~ 85 °C | -40°C to +95°C |
| Корпус | 96FBGA | 96-VFBGA (7.5x13 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Задержка CAS | Programmable | 13 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Тип памяти | — | DDR3L SDRAM |
| Размер памяти | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Интерфейс | — | Parallel |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Без галогенов | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |