K4B4G1646D-BYK00 vs W634GU6RB09J Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BYK00 von Samsung Electronics und W634GU6RB09J von Winbond. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BYK00 | W634GU6RB09J |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Winbond |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,50 | $8,10 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Datenrate | 1600 Mbps | 1066 MHz (DDR3L-2133) |
| Versorgungsspannung | 1.35 V (also operates at 1.5 V) | 1.35V |
| Gehäuse | 96-ball TFBGA | 96-VFBGA (7.5x13mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Betriebstemperatur | 0°C to 85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| CAS-Latenz | Programmable | 20 ns |
| Additional Features | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Halogenfrei | Yes | Yes |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| Speichergröße | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Montageart | — | Surface Mount |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| Anzahl der Pins | — | 96 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |