K4B4G1646D-BYK00 vs W634GU6RB09J 비교
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Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646D-BYK00 | W634GU6RB09J |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Winbond |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $7.50 | $8.10 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 데이터 속도 | 1600 Mbps | 1066 MHz (DDR3L-2133) |
| 공급 전압 | 1.35 V (also operates at 1.5 V) | 1.35V |
| 패키지 | 96-ball TFBGA | 96-VFBGA (7.5x13mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| 동작 온도 | 0°C to 85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| CAS 레이턴시 | Programmable | 20 ns |
| Additional Features | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| 할로겐 프리 | Yes | Yes |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| 메모리 크기 | — | 4Gbit (256M x 16) |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| 핀 수 | — | 96 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |