K4B4G1646D-BYK00 vs W634GU6RB09J Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646D-BYK00 por Samsung Electronics y W634GU6RB09J por Winbond. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646D-BYK00 | W634GU6RB09J |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Winbond |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,50 | $8,10 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps | 1066 MHz (DDR3L-2133) |
| Tensión de alimentación | 1.35 V (also operates at 1.5 V) | 1.35V |
| Encapsulado | 96-ball TFBGA | 96-VFBGA (7.5x13mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to 85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| Latencia CAS | Programmable | 20 ns |
| Additional Features | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | Yes |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| Tamaño de memoria | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Interfaz | — | Parallel |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| Número de pines | — | 96 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |