K4B4G1646D-BYK00 vs W634GU6RB09J 比較

詳細な並列比較: K4B4G1646D-BYK00 メーカー: Samsung Electronics および W634GU6RB09J メーカー: Winbond。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 ✓ 生産中
Winbond
W634GU6RB09J W634GU6RB09J - 4Gb DDR3L SDRAM x16 1066MHz | Winbond

W634GU6RB09J - 4Gb DDR3L SDRAM x16 1066MHz | Winbond

W634GU6RB09J ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4B4G1646D-BYK00 W634GU6RB09J
ブランド Samsung Electronics Winbond
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $7.50 $8.10
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb —
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
データレート 1600 Mbps 1066 MHz (DDR3L-2133)
電源電圧 1.35 V (also operates at 1.5 V) 1.35V
パッケージ 96-ball TFBGA 96-VFBGA (7.5x13mm)
Number of Terminals 96 —
動作温度 0°C to 85°C 0°C to +95°C (Tc)
CASレイテンシ Programmable 20 ns
Additional Features Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
ハロゲンフリー Yes Yes
Package Shape RECTANGULAR —
Temperature Grade OTHER —
メモリサイズ — 4Gbit (256M x 16)
インターフェース — Parallel
実装タイプ — Surface Mount
RoHS ステータス — Compliant
Burst Length — 8 and 4
ピン数 — 96
Ball Pitch — 0.8 mm

データシート&リソース

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