K4B4G1646D-BYMA0 vs K4B4G1646E-BYMATCV Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BYMA0 von Samsung Electronics und K4B4G1646E-BYMATCV von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYMA0 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYMA0 ✓ AktivSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BYMA0 | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,50 | $5,90 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | — |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.35 V |
| Datenrate | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Betriebstemperaturbereich | 0°C to +85°C | -40°C to +95°C |
| Lead-Free | Yes | — |
| Halogenfrei | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Precharge | Supported | Yes |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Data Mask | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| Speichergröße | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Anzahl der Pins | — | 96 |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| CAS-Latenz | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS-Status | — | Compliant |