K4B4G1646D-BYMA0 vs K4B4G1646E-BYMATCV 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646D-BYMA0 제조: Samsung Electronics 및 K4B4G1646E-BYMATCV 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646D-BYMA0 | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $7.50 | $5.90 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | — |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| 공급 전압 | 1.35 V | 1.35 V |
| 데이터 속도 | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps |
| 패키지 | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| 동작 온도 범위 | 0°C to +85°C | -40°C to +95°C |
| Lead-Free | Yes | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Precharge | Supported | Yes |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Data Mask | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| 메모리 크기 | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| 핀 수 | — | 96 |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| CAS 레이턴시 | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS 상태 | — | Compliant |