K4B4G1646D-BYMA0 vs K4B4G1646E-BYMATCV Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646D-BYMA0 por Samsung Electronics e K4B4G1646E-BYMATCV por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYMA0 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYMA0 ✓ AtivoSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646D-BYMA0 | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $7,50 | $5,90 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Organização da memória | 256M x 16 | — |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| Tensão de alimentação | 1.35 V | 1.35 V |
| Taxa de dados | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Faixa de temperatura de operação | 0°C to +85°C | -40°C to +95°C |
| Lead-Free | Yes | — |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Precharge | Supported | Yes |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Data Mask | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| Tamanho da memória | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Número de pinos | — | 96 |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| Latência CAS | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Status RoHS | — | Compliant |