K4B4G1646D-BYMA0 vs K4B4G1646E-BYMATCV Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BYMA0 par Samsung Electronics et K4B4G1646E-BYMATCV par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYMA0 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYMA0 ✓ ActifSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BYMA0 | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,50 | $5,90 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.35 V |
| Débit de données | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +85°C | -40°C to +95°C |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Precharge | Supported | Yes |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Data Mask | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| Latence CAS | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Statut RoHS | — | Compliant |