K4RAH086VB-BIQK vs H5CG48MEBDX014N Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RAH086VB-BIQK von Samsung Electronics und H5CG48MEBDX014N von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4RAH086VB-BIQK | H5CG48MEBDX014N |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $4,25 | $41,68 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| Speicherorganisation | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Datenrate | 4800 Mbps/pin | 4800 Mbps |
| Core Supply Voltage | 1.1 V (nominal) | — |
| Gehäuse | 82FBGA | FBGA-82 (11 x 10 mm) |
| Configuration | X8 | — |
| Speed Grade | BIQK (-BIQK bin) | — |
| ECC | On-die ECC (DDR5 standard) | — |
| Schnittstelle | DDR5 (CA reduced pin count) | — |
| Burst Length | 16 / 32 | — |
| Operating Mode | DLL enabled | — |
| RoHS-Status | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) | Compliant |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | — |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Versorgungsspannung | — | 1.1 V |
| Row Address | — | 12 bits |
| Column Address | — | 9 bits |
| Die Generation | — | M-die |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Schnittstellentyp | — | Parallel, DDR5 |
| Memory Class | — | Synchronous DRAM |
| Speed Class | — | DDR5-4800 (PC5) |