K4RAH086VB-BIQK vs H5CG48MEBDX014N Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH086VB-BIQK par Samsung Electronics et H5CG48MEBDX014N par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH086VB-BIQK | H5CG48MEBDX014N |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,25 | $41,68 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Débit de données | 4800 Mbps/pin | 4800 Mbps |
| Core Supply Voltage | 1.1 V (nominal) | — |
| Boîtier | 82FBGA | FBGA-82 (11 x 10 mm) |
| Configuration | X8 | — |
| Speed Grade | BIQK (-BIQK bin) | — |
| ECC | On-die ECC (DDR5 standard) | — |
| Interface | DDR5 (CA reduced pin count) | — |
| Burst Length | 16 / 32 | — |
| Operating Mode | DLL enabled | — |
| Statut RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) | Compliant |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.1 V |
| Row Address | — | 12 bits |
| Column Address | — | 9 bits |
| Die Generation | — | M-die |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Type d'interface | — | Parallel, DDR5 |
| Memory Class | — | Synchronous DRAM |
| Speed Class | — | DDR5-4800 (PC5) |