K4RAH086VB-BIQK vs H5CG48MEBDX014N 比較

詳細な並列比較: K4RAH086VB-BIQK メーカー: Samsung Electronics および H5CG48MEBDX014N メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ 生産中
SK hynix
H5CG48MEBDX014N H5CG48MEBDX014N - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | SK Hynix

H5CG48MEBDX014N - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | SK Hynix

H5CG48MEBDX014N ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4RAH086VB-BIQK H5CG48MEBDX014N
ブランド Samsung Electronics SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.25 $41.68
メモリタイプ DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gbit
メモリ構成 2G x 8 2G x 8
データレート 4800 Mbps/pin 4800 Mbps
Core Supply Voltage 1.1 V (nominal) —
パッケージ 82FBGA FBGA-82 (11 x 10 mm)
Configuration X8 —
Speed Grade BIQK (-BIQK bin) —
ECC On-die ECC (DDR5 standard) —
インターフェース DDR5 (CA reduced pin count) —
Burst Length 16 / 32 —
Operating Mode DLL enabled —
RoHS ステータス Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) Compliant
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate specification] —
MSLレベル [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
電源電圧 — 1.1 V
Row Address — 12 bits
Column Address — 9 bits
Die Generation — M-die
実装タイプ — Surface Mount
インターフェースタイプ — Parallel, DDR5
Memory Class — Synchronous DRAM
Speed Class — DDR5-4800 (PC5)

データシート&リソース

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