K4RAH086VB-BIQK vs H5CG48MEBDX014N Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RAH086VB-BIQK por Samsung Electronics y H5CG48MEBDX014N por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4RAH086VB-BIQK | H5CG48MEBDX014N |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $4,25 | $41,68 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| Organización de memoria | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Velocidad de datos | 4800 Mbps/pin | 4800 Mbps |
| Core Supply Voltage | 1.1 V (nominal) | — |
| Encapsulado | 82FBGA | FBGA-82 (11 x 10 mm) |
| Configuration | X8 | — |
| Speed Grade | BIQK (-BIQK bin) | — |
| ECC | On-die ECC (DDR5 standard) | — |
| Interfaz | DDR5 (CA reduced pin count) | — |
| Burst Length | 16 / 32 | — |
| Operating Mode | DLL enabled | — |
| Estado RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) | Compliant |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | — |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Tensión de alimentación | — | 1.1 V |
| Row Address | — | 12 bits |
| Column Address | — | 9 bits |
| Die Generation | — | M-die |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Tipo de interfaz | — | Parallel, DDR5 |
| Memory Class | — | Synchronous DRAM |
| Speed Class | — | DDR5-4800 (PC5) |