K4RAH086VP-BCWM vs K4RAH086VE-BCWM Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RAH086VP-BCWM von Samsung Electronics und K4RAH086VE-BCWM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4RAH086VP-BCWM | K4RAH086VE-BCWM |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,00 | $7,60 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Speichergröße | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 8 | — |
| Datenrate | 5600 Mbps/pin | 5600 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.1 V | — |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Technology | DRAM DDR5 | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Gehäuse | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] | 82-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Application Segment | Industrial | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Lebenszyklusstatus | Active | Mass Production |
| RoHS-Status | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Speicherorganisation | — | 2G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Generation | — | DDR5 |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] |
| VDDQ Voltage | — | [DATA_NEEDED: VDDQ value] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |