K4RAH086VP-BCWM vs K4RAH086VE-BCWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH086VP-BCWM par Samsung Electronics et K4RAH086VE-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH086VP-BCWM | K4RAH086VE-BCWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $7,60 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 8 | — |
| Débit de données | 5600 Mbps/pin | 5600 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | — |
| Interface | Parallel | — |
| Technology | DRAM DDR5 | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Boîtier | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] | 82-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Application Segment | Industrial | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Statut du cycle de vie | Active | Mass Production |
| Statut RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 2G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Generation | — | DDR5 |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] |
| VDDQ Voltage | — | [DATA_NEEDED: VDDQ value] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |