K4RAH086VP-BCWM vs K4RAH086VE-BCWM Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RAH086VP-BCWM por Samsung Electronics y K4RAH086VE-BCWM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4RAH086VP-BCWM | K4RAH086VE-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,00 | $7,60 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 5600 Mbps/pin | 5600 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | — |
| Interfaz | Parallel | — |
| Technology | DRAM DDR5 | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Encapsulado | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] | 82-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Application Segment | Industrial | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Estado del ciclo de vida | Active | Mass Production |
| Estado RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Organización de memoria | — | 2G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Generation | — | DDR5 |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] |
| VDDQ Voltage | — | [DATA_NEEDED: VDDQ value] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |