K4RAH086VP-BCWM vs K4RAH086VE-BCWM 比較

詳細な並列比較: K4RAH086VP-BCWM メーカー: Samsung Electronics および K4RAH086VE-BCWM メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4RAH086VP-BCWM K4RAH086VP-BCWM - 16Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH086VP-BCWM - 16Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH086VP-BCWM ✓ 生産中
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K4RAH086VE-BCWM K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics

K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics

K4RAH086VE-BCWM ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4RAH086VP-BCWM K4RAH086VE-BCWM
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.00 $7.60
メモリタイプ DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
メモリサイズ 16 Gb —
Memory Organization 2G x 8 —
データレート 5600 Mbps/pin 5600 Mbps
電源電圧 1.1 V —
インターフェース Parallel —
Technology DRAM DDR5 —
Memory Format DRAM —
Volatile / Non-Volatile Volatile —
パッケージ [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] 82-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Application Segment Industrial —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
ライフサイクル状態 Active Mass Production
RoHS ステータス unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSLレベル [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 16 Gb
メモリ構成 — 2G x 8
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
Generation — DDR5
Bank Groups — [DATA_NEEDED: bank group count]
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps]
VDDQ Voltage — [DATA_NEEDED: VDDQ value]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate]
Manufacturer — Samsung Electronics

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