K4RAH086VP-BCWM vs K4RAH086VE-BCWM Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4RAH086VP-BCWM por Samsung Electronics e K4RAH086VE-BCWM por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K4RAH086VP-BCWM | K4RAH086VE-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,00 | $7,60 |
| Tipo de memória | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Tamanho da memória | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 8 | — |
| Taxa de dados | 5600 Mbps/pin | 5600 Mbps |
| Tensão de alimentação | 1.1 V | — |
| Interface | Parallel | — |
| Technology | DRAM DDR5 | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Encapsulamento | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] | 82-ball FBGA |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Application Segment | Industrial | — |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Status do ciclo de vida | Active | Mass Production |
| Status RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Organização da memória | — | 2G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Generation | — | DDR5 |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| Latência CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] |
| VDDQ Voltage | — | [DATA_NEEDED: VDDQ value] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |