LM358DR vs NCV2904DR2G Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von LM358DR von Texas Instruments und NCV2904DR2G von onsemi. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter LM358DR NCV2904DR2G
Marke Texas Instruments onsemi
Kategorie Amplifier ICs Amplifier ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,05 $0,19
Amplifier Type General Purpose Operational Amplifier General Purpose Operational Amplifier
Number of Circuits 2 2
Gain Bandwidth Product 700 kHz —
Slew Rate 0.3 V/µs —
Supply Voltage (Single) 3 V to 32 V —
Supply Voltage (Dual) ±1.5 V to ±16 V —
Supply Current (per channel) 0.7 mA (typ) —
Input Offset Voltage 2 mV (typ), 7 mV (max) —
Common-Mode Input Range Extends to ground (V-) —
Output Current 20 mA (typ, short-circuit protected) —
Minimum Load Resistance 2 kΩ —
Betriebstemperatur 0°C to +70°C —
Gehäuse SOIC-8 (D) SOIC-8 (Case 751, D suffix)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Internal Compensation Yes (unity-gain stable) —
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Supply Voltage (Single Supply) — 3.0 V to 26 V
Supply Voltage (Split Supply) — +/-1.5 V to +/-13 V
Common Mode Input Range — Extends to ground/VEE
Output — Short circuit protected
Input Stage — True differential input
Compensation — Internally compensated
ESD Protection — ESD clamps on inputs
Input Bias Current — Low input bias current
Power Drain — Low power drain
Qualification — NCV automotive grade
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

Datenblätter & Ressourcen

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