LM358DR vs NCV2904DR2G Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de LM358DR par Texas Instruments et NCV2904DR2G par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre LM358DR NCV2904DR2G
Marque Texas Instruments onsemi
Catégorie Amplifier ICs Amplifier ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,05 $0,19
Amplifier Type General Purpose Operational Amplifier General Purpose Operational Amplifier
Number of Circuits 2 2
Gain Bandwidth Product 700 kHz —
Slew Rate 0.3 V/µs —
Supply Voltage (Single) 3 V to 32 V —
Supply Voltage (Dual) ±1.5 V to ±16 V —
Supply Current (per channel) 0.7 mA (typ) —
Input Offset Voltage 2 mV (typ), 7 mV (max) —
Common-Mode Input Range Extends to ground (V-) —
Output Current 20 mA (typ, short-circuit protected) —
Minimum Load Resistance 2 kΩ —
Température de fonctionnement 0°C to +70°C —
Boîtier SOIC-8 (D) SOIC-8 (Case 751, D suffix)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Internal Compensation Yes (unity-gain stable) —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Supply Voltage (Single Supply) — 3.0 V to 26 V
Supply Voltage (Split Supply) — +/-1.5 V to +/-13 V
Common Mode Input Range — Extends to ground/VEE
Output — Short circuit protected
Input Stage — True differential input
Compensation — Internally compensated
ESD Protection — ESD clamps on inputs
Input Bias Current — Low input bias current
Power Drain — Low power drain
Qualification — NCV automotive grade
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

Fiches techniques et ressources

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