LM358DR vs NCV2904DR2G Comparación

Comparación detallada lado a lado de LM358DR por Texas Instruments y NCV2904DR2G por onsemi. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro LM358DR NCV2904DR2G
Marca Texas Instruments onsemi
Categoría Amplifier ICs Amplifier ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,05 $0,19
Amplifier Type General Purpose Operational Amplifier General Purpose Operational Amplifier
Number of Circuits 2 2
Gain Bandwidth Product 700 kHz —
Slew Rate 0.3 V/µs —
Supply Voltage (Single) 3 V to 32 V —
Supply Voltage (Dual) ±1.5 V to ±16 V —
Supply Current (per channel) 0.7 mA (typ) —
Input Offset Voltage 2 mV (typ), 7 mV (max) —
Common-Mode Input Range Extends to ground (V-) —
Output Current 20 mA (typ, short-circuit protected) —
Minimum Load Resistance 2 kΩ —
Temperatura de funcionamiento 0°C to +70°C —
Encapsulado SOIC-8 (D) SOIC-8 (Case 751, D suffix)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Internal Compensation Yes (unity-gain stable) —
Estado RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Supply Voltage (Single Supply) — 3.0 V to 26 V
Supply Voltage (Split Supply) — +/-1.5 V to +/-13 V
Common Mode Input Range — Extends to ground/VEE
Output — Short circuit protected
Input Stage — True differential input
Compensation — Internally compensated
ESD Protection — ESD clamps on inputs
Input Bias Current — Low input bias current
Power Drain — Low power drain
Qualification — NCV automotive grade
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

Hojas de datos y recursos

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