LM358DR vs NCV2904DR2G Comparação

Comparação detalhada lado a lado de LM358DR por Texas Instruments e NCV2904DR2G por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro LM358DR NCV2904DR2G
Marca Texas Instruments onsemi
Categoria Amplifier ICs Amplifier ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,05 $0,19
Amplifier Type General Purpose Operational Amplifier General Purpose Operational Amplifier
Number of Circuits 2 2
Gain Bandwidth Product 700 kHz —
Slew Rate 0.3 V/µs —
Supply Voltage (Single) 3 V to 32 V —
Supply Voltage (Dual) ±1.5 V to ±16 V —
Supply Current (per channel) 0.7 mA (typ) —
Input Offset Voltage 2 mV (typ), 7 mV (max) —
Common-Mode Input Range Extends to ground (V-) —
Output Current 20 mA (typ, short-circuit protected) —
Minimum Load Resistance 2 kΩ —
Temperatura de operação 0°C to +70°C —
Encapsulamento SOIC-8 (D) SOIC-8 (Case 751, D suffix)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Internal Compensation Yes (unity-gain stable) —
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Supply Voltage (Single Supply) — 3.0 V to 26 V
Supply Voltage (Split Supply) — +/-1.5 V to +/-13 V
Common Mode Input Range — Extends to ground/VEE
Output — Short circuit protected
Input Stage — True differential input
Compensation — Internally compensated
ESD Protection — ESD clamps on inputs
Input Bias Current — Low input bias current
Power Drain — Low power drain
Qualification — NCV automotive grade
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

Fichas técnicas e recursos

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