LM358DR vs NCV2904DR2G 비교

다음의 상세 나란히 비교: LM358DR 제조: Texas Instruments 및 NCV2904DR2G 제조: onsemi. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 LM358DR NCV2904DR2G
브랜드 Texas Instruments onsemi
카테고리 Amplifier ICs Amplifier ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.05 $0.19
Amplifier Type General Purpose Operational Amplifier General Purpose Operational Amplifier
Number of Circuits 2 2
Gain Bandwidth Product 700 kHz —
Slew Rate 0.3 V/µs —
Supply Voltage (Single) 3 V to 32 V —
Supply Voltage (Dual) ±1.5 V to ±16 V —
Supply Current (per channel) 0.7 mA (typ) —
Input Offset Voltage 2 mV (typ), 7 mV (max) —
Common-Mode Input Range Extends to ground (V-) —
Output Current 20 mA (typ, short-circuit protected) —
Minimum Load Resistance 2 kΩ —
동작 온도 0°C to +70°C —
패키지 SOIC-8 (D) SOIC-8 (Case 751, D suffix)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Internal Compensation Yes (unity-gain stable) —
RoHS 상태 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Supply Voltage (Single Supply) — 3.0 V to 26 V
Supply Voltage (Split Supply) — +/-1.5 V to +/-13 V
Common Mode Input Range — Extends to ground/VEE
Output — Short circuit protected
Input Stage — True differential input
Compensation — Internally compensated
ESD Protection — ESD clamps on inputs
Input Bias Current — Low input bias current
Power Drain — Low power drain
Qualification — NCV automotive grade
동작 온도 범위 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청