LM358DT vs NCV2904DR2G Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von LM358DT von STMicroelectronics und NCV2904DR2G von onsemi. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter LM358DT NCV2904DR2G
Marke STMicroelectronics onsemi
Kategorie Amplifier ICs Amplifier ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,05 $0,19
Number of Channels 2 —
Supply Voltage (Single) 3 V to 32 V —
Supply Voltage (Split) ±1.5 V to ±16 V —
Quiescent Current (per Amp) 350 µA (typical) —
Input Offset Voltage 2 mV (typical) —
Input Bias Current 45 nA (typical) Low input bias current
Gain-Bandwidth Product 1.1 MHz —
Slew Rate 0.6 V/µs —
Common-Mode Rejection Ratio 85 dB (typical) —
Power Supply Rejection Ratio 100 dB (typical) —
Output Current 40 mA (source/sink) —
Betriebstemperaturbereich 0°C to +70°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gehäuse SOIC-8 (SO-8) SOIC-8 (Case 751, D suffix)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Amplifier Type — General Purpose Operational Amplifier
Number of Circuits — 2
Supply Voltage (Single Supply) — 3.0 V to 26 V
Supply Voltage (Split Supply) — +/-1.5 V to +/-13 V
Common Mode Input Range — Extends to ground/VEE
Output — Short circuit protected
Input Stage — True differential input
Compensation — Internally compensated
ESD Protection — ESD clamps on inputs
Power Drain — Low power drain
Qualification — NCV automotive grade

Datenblätter & Ressourcen

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