LM358DT vs NCV2904DR2G Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de LM358DT par STMicroelectronics et NCV2904DR2G par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre LM358DT NCV2904DR2G
Marque STMicroelectronics onsemi
Catégorie Amplifier ICs Amplifier ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,05 $0,19
Number of Channels 2 —
Supply Voltage (Single) 3 V to 32 V —
Supply Voltage (Split) ±1.5 V to ±16 V —
Quiescent Current (per Amp) 350 µA (typical) —
Input Offset Voltage 2 mV (typical) —
Input Bias Current 45 nA (typical) Low input bias current
Gain-Bandwidth Product 1.1 MHz —
Slew Rate 0.6 V/µs —
Common-Mode Rejection Ratio 85 dB (typical) —
Power Supply Rejection Ratio 100 dB (typical) —
Output Current 40 mA (source/sink) —
Plage de température de fonctionnement 0°C to +70°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Boîtier SOIC-8 (SO-8) SOIC-8 (Case 751, D suffix)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Amplifier Type — General Purpose Operational Amplifier
Number of Circuits — 2
Supply Voltage (Single Supply) — 3.0 V to 26 V
Supply Voltage (Split Supply) — +/-1.5 V to +/-13 V
Common Mode Input Range — Extends to ground/VEE
Output — Short circuit protected
Input Stage — True differential input
Compensation — Internally compensated
ESD Protection — ESD clamps on inputs
Power Drain — Low power drain
Qualification — NCV automotive grade

Fiches techniques et ressources

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