LM358DT vs NCV2904DR2G 비교

다음의 상세 나란히 비교: LM358DT 제조: STMicroelectronics 및 NCV2904DR2G 제조: onsemi. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 LM358DT NCV2904DR2G
브랜드 STMicroelectronics onsemi
카테고리 Amplifier ICs Amplifier ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.05 $0.19
Number of Channels 2 —
Supply Voltage (Single) 3 V to 32 V —
Supply Voltage (Split) ±1.5 V to ±16 V —
Quiescent Current (per Amp) 350 µA (typical) —
Input Offset Voltage 2 mV (typical) —
Input Bias Current 45 nA (typical) Low input bias current
Gain-Bandwidth Product 1.1 MHz —
Slew Rate 0.6 V/µs —
Common-Mode Rejection Ratio 85 dB (typical) —
Power Supply Rejection Ratio 100 dB (typical) —
Output Current 40 mA (source/sink) —
동작 온도 범위 0°C to +70°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
패키지 SOIC-8 (SO-8) SOIC-8 (Case 751, D suffix)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Amplifier Type — General Purpose Operational Amplifier
Number of Circuits — 2
Supply Voltage (Single Supply) — 3.0 V to 26 V
Supply Voltage (Split Supply) — +/-1.5 V to +/-13 V
Common Mode Input Range — Extends to ground/VEE
Output — Short circuit protected
Input Stage — True differential input
Compensation — Internally compensated
ESD Protection — ESD clamps on inputs
Power Drain — Low power drain
Qualification — NCV automotive grade

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